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MT49H8M36SJ-25 IT:B TR实物图
  • MT49H8M36SJ-25 IT:B TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT49H8M36SJ-25 IT:B TR

288Mb CIO RLDRAM 2

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
商品编号
C22003162
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 533 MHz DDR操作(1.067 Gb/s/引脚数据速率)
  • 38.4 Gb/s峰值带宽(在533 MHz时钟频率下为x36)
  • 组织形式:32 Meg x 9、16 Meg x 18和8 Meg x 36
  • 8个内部存储体,用于并发操作和最大带宽
  • 缩短周期时间(533 MHz时为15ns)
  • 非复用地址(提供地址复用选项)
  • SRAM型接口
  • 可编程读取延迟(RL)、行周期时间和突发序列长度
  • 平衡读取和写入延迟,以优化数据总线利用率
  • 写入命令的数据掩码
  • 差分输入时钟(CK、CK#)
  • 差分输入数据时钟(DKx、DKx#)
  • 片上DLL生成CK边缘对齐的数据和输出数据时钟信号
  • 数据有效信号(QVLD)
  • 32ms刷新(每个存储体8K刷新;每32ms必须总共发出64K刷新命令)
  • HSTL I/O(标称1.5V或1.8V)
  • 25 - 60Ω匹配阻抗输出
  • 2.5V V_EXT、1.8V V_DD、1.5V或1.8V V_DDQ I/O
  • 片上终端(ODT)R_TT

数据手册PDF