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G16P03

1个P沟道 耐压:30V 电流:16A

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描述
P沟道,-30V,-16A,10.6mΩ@-10V
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G16P03
商品编号
C193982
商品封装
PDFN-8(3.1x3.2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)33V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))10.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45.6nC
输入电容(Ciss)2.13nF
反向传输电容(Crss)227pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)302pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

G16P03采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

商品特性

-高功率和电流处理能力-符合无铅产品要求-表面贴装封装

应用领域

-PWM应用-负载开关-电源管理

数据手册PDF