NCP349MNAETBG

正向过电压保护控制器，内置低导通电阻NMOS FET

描述

NCP349能够在检测到错误的输入工作条件时从其输出引脚断开系统。该系统正向过压保护可达28V。此设备使用内部NMOS，因此不需要外部设备，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。由于集成了低导通电阻功率NMOS（65 mΩ），当输入电压超过过压阈值（OVLO）或低于欠压阈值（UVLO）时，NCP349能够瞬间断开输出与输入之间的连接。在上电时（EN引脚=低电平），当Vin超过欠压阈值后ton时间内Vout开启。NCP349提供一个下降沿标志（FLAG）输出，用以通知系统发生了故障。此外，当使用1.0 µF或更大的电容旁路时，该设备具有ESD保护输入（15 kV空气放电）。

品牌名称

onsemi(安森美)

商品型号

NCP349MNAETBG

商品编号

C233712

商品封装

DFN-6-EP(1.6x2)​

包装方式

编带

商品毛重

0.037克(g)