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MJD112T4G
NPN 100V 2A
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- 描述
- 专为通用电源和开关应用而设计，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出级或驱动级。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MJD112T4G
- 商品编号
- C233690
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |