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TDM3458
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 17.4 导通电阻(mΩ) 5.5 输入电容(Ciss) 780 反向传输电容Crss(pF) 39 栅极电荷(Qg) 12.5
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3458
- 商品编号
- C232915
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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