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TDM3482

环保标识
  • N沟道增强型MOSFET,电流:43A,耐压:40V

  • SMT扩展库
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  • 描述

    类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 12 导通电阻(mΩ) 9.5 输入电容(Ciss) 700 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 10.7

  • 品牌名称Techcode(泰德)
  • 商品型号

    TDM3482
  • 商品编号

    C232919
  • 商品封装

    PDFN3333-8
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.135克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)43A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V,15A
功率(Pd)27.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)700pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

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