TDM3482
N沟道增强型MOSFET,电流:43A,耐压:40V
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描述
类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 12 导通电阻(mΩ) 9.5 输入电容(Ciss) 700 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 10.7
- 品牌名称Techcode(泰德)
商品型号
TDM3482商品编号
C232919商品封装
PDFN3333-8包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 43A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,15A | |
功率(Pd) | 27.8W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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