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TDM3482
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:43A
- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 12 导通电阻(mΩ) 9.5 输入电容(Ciss) 700 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 10.7
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3482
- 商品编号
- C232919
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF |
商品概述
TDM3482采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 16mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9.5mΩ
- 高功率和电流处理能力
- ESD保护
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理