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AS2101W
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特征：耐压-20V、导通电阻≤130mΩ@-4.5V、持续电流-2A、脉冲电流-8A；功能：高边负载开关、电池保护；应用：手机、数码相机等单电池设备等
- 品牌名称
- AnBon(安邦)
- 商品型号
- AS2101W
- 商品编号
- C232292
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
-先进沟槽工艺技术-高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-高端负载开关-充电电路-单节电池应用,如手机、数码相机、个人数字助理等