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WML25N65EM
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- WMOSTM EM 是第三代超结 MOSFET 产品系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTTM EM 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML25N65EM
- 商品编号
- C21726230
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.079克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
2306是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2306符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 最大结温下,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.165 Ω
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 无铅镀层,无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器
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