温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WML28N65F2
650V超结功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- WMOSTM F2 是 第二代具有快速体二极管的超结 MOSFET 系列。F2 系列具备快速开关 SJ - MOSFET 的所有优势，同时提供极快的体二极管。WMMOSTM F2 尤其能使谐振开关应用更加可靠
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML28N65F2
- 商品编号
- C21726231
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.775nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
20P09L是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 20P09L符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证通过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 最大结温(Tj)下,VDS = 700 V
- 典型 RDS(on) = 0.15 Ω
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
- LED 照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑(PC)
- 液晶电视(LCD TV)
- 服务器
相似推荐
其他推荐