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WML30N65EM
WML30N65EM
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML30N65EM
- 商品编号
- C21726232
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.91nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOST™ EM 是第三代超结 MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOST™ EM 适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 在 Tj, \max 时,VDS = 700 V
- 典型 RDS(on) = 0.135 Ω
- 经过 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
- LED 照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑
- 液晶电视
- 服务器
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