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PTVSHC2EN4V5B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTVSHC2EN4V5B

ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流:130A@8/20us

描述
PTVSHC2EN4V5B静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,与MLV相比,具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装,工作电压为4.5伏,用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求(±30kV空气放电、±30kV接触放电)。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PTVSHC2EN4V5B
商品编号
C226255
商品封装
DFN1610-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)4.5V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)130A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.2kW@8/20us
击穿电压6.1V
属性参数值
反向电流(Ir)2uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容300pF

商品概述

PTVSHC2EN4V5B静电放电(ESD)保护器专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA))中的多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,与MLV相比,具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装,工作电压为4.5伏,用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求(±30kV空气放电、±30kV接触放电)。

商品特性

  • 每线1200W峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)
  • DFN1610 - 2L封装
  • 典型响应时间< 1 ns
  • 保护一条I/O或电源线
  • 低钳位电压
  • 符合RoHS标准
  • 数据线瞬态保护,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD):±30kV(空气放电)、±30kV(接触放电);IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns)

应用领域

  • 手机及配件
  • 个人数字助理(PDA)
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器
  • 无绳电话
  • 数码相机
  • 外设
  • MP3播放器

数据手册PDF