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PE42540F-Z
10Hz-8GHzSP4T射频开关
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- 描述
- PE42540是一种采用HaRP技术增强的SP4T射频开关，支持测试设备和ATE市场的需求。它包含四个对称的RF端口，具有非常高的隔离度。非芯片CMOS解码逻辑简化了两针低电压CMOS控制接口，并提供可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其具有高度集成性和坚固性。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42540F-Z
- 商品编号
- C2151924
- 商品封装
- LGA-32(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 10Hz~8GHz | |
| 隔离度 | 45dB | |
| 插入损耗 | 1.2dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 33dBm | |
| 工作电压 | 3V~3.55V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE42540是一款采用HaRP技术增强的吸收式单刀四掷（SP4T）射频开关，基于UltraCMOS工艺技术开发。该开关专为满足测试设备和自动测试设备（ATE）市场的需求而设计。它包含四个对称的射频端口，具有极高的隔离度。片上CMOS解码逻辑支持双引脚低压CMOS控制接口和可选的外部VSS功能。高静电放电（ESD）耐受性和无需隔直电容的特性，使其在集成度和耐用性方面达到了极致。
PE42540采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
UltraCMOS单刀四掷（SP4T）射频开关，频率范围10 Hz - 8 GHz
商品特性
- 采用HaRP技术增强
- 快速稳定时间
- 消除栅极和相位滞后
- 插入损耗和相位无漂移
- 高线性度：三阶交调截点（IIP3）为58 dBm
- 低插入损耗：3 GHz时为0.8 dB，6 GHz时为1.0 dB，8 GHz时为1.2 dB
- 高隔离度：3 GHz时为45 dB，6 GHz时为39 dB，8 GHz时为31 dB
- 最大功率处理能力：8 GHz时为30 dBm
- 射频公共端（RFC）的人体模型（HBM）静电放电耐受性高达2 kV，其他引脚为1 kV
应用领域
- 测试设备
- 自动测试设备（ATE）市场
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