PE42851MLBA-X
100-1000MHz高功率SP5T射频开关
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- 描述
- PE42851是一种增强型HaRPTM技术的SP5T高功率射频开关,支持高达1GHz的无线应用。它提供高达42.5dBm的连续波功率处理能力,具有高线性和优秀的谐波性能。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42851MLBA-X
- 商品编号
- C2151898
- 商品封装
- QFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 36dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | - | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE42851是一款采用HaRP™技术增强的单刀五掷(SP5T)高功率射频开关,支持高达1 GHz的无线应用。它的最大连续波(CW)功率处理能力为42.5 dBm,具有高线性度和出色的谐波性能。它具备标准和衰减接收(RX)两种模式。若射频端口无直流电压,则无需隔直电容。 PE42851采用pSemi公司的UltraCMOS®工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,兼具砷化镓(GaAs)的性能以及传统互补金属氧化物半导体(CMOS)的经济性和集成度。
商品特性
- 双模式工作:单刀五掷(SP5T)或单刀三掷(SP3T)
- 采用HaRP™技术增强
- 快速建立时间
- 无栅极和相位滞后
- 插入损耗和相位无漂移
- 在50Ω负载下,瞬时功率高达45 dBm
- 在电压驻波比(VSWR)小于8:1时,瞬时功率高达40 dBm
- 发射(TX)到接收(RX)隔离度为36 dB
- 二次谐波(2f₀)和三次谐波(3f₀)低至 -80 dBc(电压驻波比为1.15:1)
- 静电放电(ESD)性能:所有引脚的人体模型(HBM)静电防护能力为1.5 kV;所有引脚的带电器件模型(CDM)静电防护能力为↑kV
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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