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FCAB21350L1
带栅极电阻的双N沟道MOSFET，用于锂离子二次电池保护电路
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- FCAB21350L1
- 商品编号
- C2150119
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 最大连续电流 | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 12V | |
| 导通电阻 | 2.1mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 低源极-源极导通电阻：Rss(on) 典型值 = 2.2 mΩ（VGS = 3.8 V）
- CSP（芯片级封装）
- 符合 RoHS 标准（欧盟 RoHS / MSL：符合 1 级标准）
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