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SIP32432DR3-T1GE3
具备反向阻断功能的超低漏电流和静态电流负载开关
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- 描述
- SiP32431和SiP32432是具有反向阻断能力的超低泄漏和静态电流、压摆率可控的高端开关。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4 A的连续电流。SiP32431和SiP32432的输入电压范围为1.5 V至5.5 V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIP32432DR3-T1GE3
- 商品编号
- C2149830
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 低电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 1.4A | |
| 工作电压 | 1.5V~5.5V | |
| 导通电阻 | 147mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SiP32431和SiP32432是具有反向阻断能力的超低泄漏和静态电流、压摆率可控的高端开关。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4 A的连续电流。 SiP32431和SiP32432的输入电压范围为1.5 V至5.5 V。 SiP32431和SiP32432具有低输入逻辑电平，可与微处理器的低控制电压接口。SiP32431为逻辑高电平使能控制，而SiP32432为逻辑低电平使能控制。两款器件的工作电流都非常低，在3.3 V电源下典型值为10 pA。 SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC - 70 - 6和4引脚TDFN4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。 SiP32431和SiP32432紧凑的封装选项、工作电压范围和低工作电流使其非常适合电池供电应用。 SiP32431和SiP32432是专为高端压摆率可控负载开关应用设计的P沟道MOSFET功率开关。一旦开启，压摆率控制电路被激活，电流以线性方式上升，直到达到输出负载条件所需的水平。这首先通过将MOSFET的栅极电压提升至其阈值电压，然后线性增加栅极电压，直到MOSFET完全增强来实现。此时，栅极电压迅速升至全输入电压，以降低MOSFET开关的RDS（on）并最小化相关的功率损耗。
商品特性
- 1.5 V至5.5 V输入电压范围
- 无需偏置电源轨
- 低导通电阻RDS（on）：对于1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装，在5 V时典型值为105 mΩ，在3 V时为135 mΩ
- 对于SC - 70 - 6封装，在5 V时典型值为147 mΩ，在3 V时为178 mΩ
- 压摆率控制的开启时间：100 μs
- 超低泄漏和静态电流：
- VIN静态电流 = 0.01 nA
- VIN关断泄漏电流 = 0.20 nA
- 反向阻断能力
- SC - 70 - 6和TDFN4 1.2 mm x 1.6 mm封装
应用领域
- 无线传感器网络
- 智能电表
- 可穿戴设备
- 物联网
- 便携式医疗设备
- 安全系统
- 电池供电设备
- 便携式仪器