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P75N02LDG-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- P75N02LDG-VB
- 商品编号
- C20755568
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@10V；71.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.525nF |
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