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STN1HNK60-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:1.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Plannar技术，适用于各种应用场景。SOT223；N—Channel沟道,650V；1.2A；RDS(ON)=8400mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STN1HNK60-VB
- 商品编号
- C20754927
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
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