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SIS412DN-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、电机驱动模块、汽车电子模块等领域。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS412DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20754941
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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