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AO4886-VB
2个N沟道 耐压:100V 电流:6.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高效能量转换、可靠性能和精确控制的领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；6.4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4886-VB
- 商品编号
- C20754948
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 极低的Qgd,可降低开关损耗
- 100%进行Rg测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流转换器
- 直流-交流逆变器
- 电机驱动器