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HX41-600-T实物图
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HX41-600-T

NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高.

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描述
NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高.
商品型号
HX41-600-T
商品编号
C20625087
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.473克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶闸管(可控硅)/模块
可控硅类型1个双向可控硅
断态峰值电压(Vdrm)800V
通态电流(It)41A
浪涌电流410A
门极平均耗散功率(PG(AV))1W
属性参数值
通态峰值电压(Vtm)1.5V
门极触发电流(Igt)50mA
门极触发电压(Vgt)1.5V
保持电流(Ih)60mA
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 采用NPNPN五层硅双向器件结构
  • 应用单边开槽工艺和台面玻璃钝化工艺
  • 背面配备多层金属电极
  • 提供优良的阻断电压和温度稳定性,实现高可靠性

应用领域

  • 真空吸尘器
  • 电动工具等电机调速
  • 固态继电器
  • 加热控制器
  • 彩色灯光控制器

数据手册PDF