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HX41-800-T
NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高.
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- 描述
- NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高.
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- HX41-800-T
- 商品编号
- C20625088
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.5V | |
| 保持电流(Ih) | 60mA | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 800V | |
| 门极触发电流(Igt) | 50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.5V | |
| 浪涌电流 | 410A@50Hz | |
| 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 1W | |
| 通态电流(It) | 41A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |