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IXFK90N20Q-JSM实物图
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IXFK90N20Q-JSM

耐压:200V 电流:90A

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描述
N沟道 耐压:200V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,30A
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IXFK90N20Q-JSM
商品编号
C20616608
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
11.638克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)550W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)367nC@20V
输入电容(Ciss)5.784nF
反向传输电容(Crss)561pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)893pF

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