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SUF630G-TN3-R
耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SUF630G-TN3-R
- 商品编号
- C20616635
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 605pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)