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INN650D080BS
*半导体*晶体管
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- 描述
- 650V GaN- on- Silicon Enhancement- mode Power Transistor in Dual Flat No- lead package (DFN) with 8mm × 8mm size
- 商品型号
- INN650D080BS
- 商品编号
- C20616646
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |
商品概述
650V硅基氮化镓增强型功率晶体管，采用8mm × 8mm尺寸的双扁平无引脚封装(DFN)。
商品特性
- 增强型晶体管
- 常关型功率开关
- 超高开关频率
- 无反向恢复电荷
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 依据JEDEC标准，适用于工业应用
- 具备ESD保护
- 符合RoHS、无铅及REACH标准
应用领域
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- BCM/DCM图腾柱PFC
- 快速电池充电
- 高密度功率转换