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IXTK88N30P-JSM
耐压:300V 电流:90A
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- 描述
- N沟道 耐压:300V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):300V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):600W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,40A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTK88N30P-JSM
- 商品编号
- C20616609
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.638克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 367nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.784nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 561pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V，漏极电流（ID）：95A
- 栅源电压（VGS）=10V时，导通电阻RDS(ON)典型值为4.1mΩ
- 栅源电压（VGS）=4.5V时，导通电阻RDS(ON)典型值为7.1mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能出色
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源