温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSK150N10
N沟道 100V 150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道 100V 150A 3.7mΩ TO-263-2L，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK150N10
- 商品编号
- C20608581
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。 它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 8 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。