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WSP4065
N+P沟道 40V 10A -40V -10A
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- 描述
- N+P沟道 40V/-40V 10A/-10A 16mΩ/35mΩ SOP-8L，可应用于电子烟、无线充、电机、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4065
- 商品编号
- C20608586
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.105nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
WSK150N10是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSK150N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100% EAS 保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络 DC-DC 电源系统-负载开关