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FDB3502-JSM
1个N沟道 耐压:80V 电流:20A
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- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDB3502-JSM
- 商品编号
- C20606829
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.331nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 276pF |
商品概述
IRFH9310TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -90A
- RDS(ON) < 4.5mΩ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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