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SWSD3066DN33
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SWSD3066DN33
- 商品编号
- C20606839
- 商品封装
- DFN3030-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）~~- 30 V
- 漏极电流（ID）~~- 12 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 11.9mΩ（栅源电压VGS~~- 10V）
- SOP-8封装
应用领域
- 笔记本电脑适配器输入开关