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YFW3409MI
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：ID：-12A。VSSS：-30V。RDSON-typ(@VGS=10V)：<30mΩ (典型值：25 mΩ)。应用：升压驱动器。无刷电机
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW3409MI
- 商品编号
- C20606603
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
IPG20N06S4L - 26采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用