温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YFW8205SLI
20V N+N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻：RDS(ON)在VGS=4.5V，ID=5A时典型值为21mΩ，最大值为25mΩ；VGS=2.5V，ID=4A时典型值为28mΩ，最大值为40mΩ。 低栅极阈值电压：VGS(th)最小值为0.5V，典型值为0.7V，最大值为1.2V。 低漏电流：IDSS最大值为1μA，IGSS最大值为±100nA。应用：锂电池保护
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW8205SLI
- 商品编号
- C20606608
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 98pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
IRFHM9331TRPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器