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YFW8205SLI
20V N+N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻：RDS(ON)在VGS=4.5V，ID=5A时典型值为21mΩ，最大值为25mΩ；VGS=2.5V，ID=4A时典型值为28mΩ，最大值为40mΩ。 低栅极阈值电压：VGS(th)最小值为0.5V，典型值为0.7V，最大值为1.2V。 低漏电流：IDSS最大值为1μA，IGSS最大值为±100nA。应用：锂电池保护
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW8205SLI
- 商品编号
- C20606608
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 98pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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