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YFW5N10SI
100V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：ID：5A。 VDSS：100V。 RDSON-typ(@VGS=10V)：< 110mΩ (典型值:88 mΩ)。应用：锂电池保护。 无线冲击
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW5N10SI
- 商品编号
- C20606605
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0888克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
BSC120N03MS G采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 70A
- RDS(ON) < 7mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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