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YFW10N65AD
650V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW10N65AD
- 商品编号
- C20606473
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.492克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.549nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
AUIRFR3504Z采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 60 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源