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YJA3134KB
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJA3134KB
- 商品编号
- C20605534
- 商品封装
- DFN-3(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基二极管单片集成在单个芯片中，以实现
- 低RDS(ON) — 最大限度降低传导损耗
- 低VSD — 减少体二极管传导造成的损耗
- 低Qrr — 集成肖特基二极管的低Qrr可降低体二极管开关损耗
- 低栅极电容（Qg / Qgs）比 — 降低高频下直通或交叉传导电流的风险
- 雪崩耐受能力强 — 有IAR和EAR额定值
- 静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
-PWM应用-负载开关