我的订单购物车(0)会员中心
联系客服
帮助中心供应商合作
嘉立创产业服务群
立创商城
首页领券中心备货找料立推专区爆款推荐PLUS会员BOM配单海外代购PCB/SMTMRO工业品面板定制
CA-IS3221BW-Q1实物图
CA-IS3221BW-Q1商品缩略图
CA-IS3221BW-Q1商品缩略图
CA-IS3221BW-Q1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

CA-IS3221BW-Q1

环保标识
  • 6A 灌电流/5A 拉电流、5.7kVRMS隔离双通道栅极驱动器

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 品牌名称Chipanalog(川土微)
  • 商品型号

    CA-IS3221BW-Q1
  • 商品编号

    C20598913
  • 商品封装

    SOIC-16-WB
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1克(g)

详细信息
  • 系列说明
  • 特性与应用

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器,可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换,结合器件的超低传输延时(56ns,典型值)、超低脉宽失真等优势,使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择,工作频率可达 5MHz,适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。

所有器件采用川土微特有的电容隔离技术,在内部集成数字隔离器。输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅(SiO2)电容绝缘栅隔离,提供高达 3.75kVrms(窄体 SOIC 封装)或 5.7kVrms(宽体 SOIC 封装)的隔离耐压(UL1577 认证), 以及最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。此外,内部电路在二次侧(输出侧)的驱动器 A 与驱动器 B 之间提供功能隔离,可承受 1500V DC 工作电压。

CA-IS322x 系列栅极驱动器可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动,提供可编程死区时间。使能控制(CA-IS3222 的 EN 引脚)和禁止控制(CA-IS3221 的 DIS 引脚)允许将驱动器 A 和驱动器 B 的输出快速拉至低电平,关断外部功率晶体管。另外,当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或低于 UVLO 门限时,或当器件处于禁用状态时,驱动器输出置于默认状态:低电平;当输入信号开路时,驱动器输出同样置于默认状态:低电平,关断外部功率管。

CA-IS322x 输入侧电源VCCI可接受 3V 至 18V 供电范围,输出侧电源 VDD 可接受高达 25V 的供电电压。提供 16 引脚窄体 SOIC 封装,16 引脚或 14 引脚宽体 SOIC 封装。工作温度范围为-40℃ 至+125℃。

CA-IS3221 典型应用电路
简化框图
CA-IS322x 隔离型栅极驱动器的内部框图
器件信息

CA-IS322x-Q1系列特性:

  • 灵活支持多种配置:
  • 双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动
  • 支持 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动
  • 较宽的供电范围:
  • 输入侧VCCI可接受 3V 至 18V 供电电压范围
    输出侧驱动电源 VDD 可达 25V
    提供 8V 和 12V 高精度 UVLO 选项
  • 确保匹配的传输延迟
  • 56ns(典型值)传输延迟
    5ns(最大值)芯片间传输延迟偏差
    7ns(最大值)脉宽失真
    20ns(典型值)最小输入脉宽
  • 可编程死区时间
  • -40℃ 至 +125℃ 工作温度范围
  • 高度可靠的电气隔离
  • 较长的绝缘栅寿命:>40年
    5.7kVrms (宽体封装)隔离耐压
    较高的共模瞬态抗扰度(CMTI):>±100V/ns
    可承受 12.8kV 浪涌
  • 提供不同封装:
  • 宽体 SOIC16 (W)封装
    宽体 SOIC14 (K)封装
  • 安全认证
  • 符合DIN V VDE V0884-17: 2021-10标准的8000VPK增强隔离耐压
    符合UL1577 认证,5.7 kVrms 隔离耐压@1分钟
    AEC-Q100 认证

CA-IS322x-Q1系列应用领域:

  • 隔离型 DC-DC、AC-DC 转换器
  • 电机控制
  • LED照明
  • 不间断电源(UPS)
  • 逆变器
  • HEV/EV电池充电器
  • 文档
    用户手册
    Chipanalog(川土微)_CA-IS322x-Q1系列数据手册(中文) 查看详情 Chipanalog(川土微)_CA-IS3221_2x双通道栅极驱动器EVM使用说明(中文) 查看详情
    应用笔记
    Chipanalog(川土微)_栅极驱动电阻设计方法(中文) 查看详情 Chipanalog(川土微)_栅极驱动器输出峰值拉/灌电流测量方法(中文) 查看详情 TI(德州仪器)_适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南(中文) 查看详情 onsemi(安森美)_高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(中文) 查看详情 Littelfuse/IXYS_MOSFET/IGBT驱动理论与应用(英文) 查看详情
    行业资料
    TI(德州仪器)_隔离式栅极驱动器的影响(中文) 查看详情 TI(德州仪器)_了解峰值源电流和灌电流(中文) 查看详情 TI(德州仪器)_MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理(中文) 查看详情 onsemi(安森美)_通用隔离和栅极驱动器概述(英文) 查看详情 onsemi(安森美)_SIC MOSFET 栅极驱动优化(中文) 查看详情 onsemi(安森美)_IGBT技术和应用概述(英文) 查看详情

    梯度价格

    嘉立创贴片惊喜价格立即查看

    梯度
    售价
    折合1圆盘
    1+6.07
    10+5.12
    30+4.61
    100+4.02

    优惠活动

    库存总量

    (单位:)
    • 广东仓

      198

    • 江苏仓

      0

    • SMT仓

      218

    购买数量(1000个/圆盘,最小起订量 1 个 )

    起订量:1 个1000个/圆盘
    总价金额: 0.00

    近期成交6

    点击咨询客服咨询客服
    • 优惠券图标优惠券
    • 芯媒体芯媒体
    • 意见反馈建议反馈
    • 意见反馈投诉意见
    • 收起收起
    • 海量现货

      海量现货

      56万现货SKU

      品类不断扩充中

    • 闪电发货

      闪电发货

      科技智能大仓储

      最快4小时发货

    • 严控渠道

      严控渠道

      正品有保障

      物料可追溯

    • 降低成本

      降低成本

      明码标价节省时间

      一站式采购元器件

    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有

    备案粤公网安备 44030402002194粤ICP备13005967号工商网监工商网监ISO/IEC