CA-IS3222BW-Q1

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅 (SiO₂) 电容绝缘栅隔离，提供高达 5.7kV_RMS (宽体 SOIC 封装) 的隔离耐压(UL1577 认证),以及最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。此外，内部电路在二次侧(输出侧)的驱动器 A 与驱动器 B 之间提供功能隔离，可承受 1500V DC 工作电压。 CA-IS322x 系列栅极驱动器可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动，提供可编程死区时间。使能控制(CA-IS3222 的 EN 引脚)和禁止控制(CA-IS3221 的 DIS 引脚)允许将驱动器 A 和驱动器 B 的输出快速拉至低电平，关断外部功率晶体管。另外，当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或低于 UVLO 门限时，或当器件处于禁用状态时，驱动器输出置于默认状态：低电平；当输入信号开路时，驱动器输出同样置于默认状态：低电平，关断外部功率管。 CA-IS322x 输入侧电源 V_CCI 可接受 3V to 18V 供电范围，输出侧电源 V_DD_ 可接受高达 25V 的供电电压。提供 16 引脚或 14 引脚宽体 SOIC 封装。工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。

• 灵活支持多种配置：双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动支持 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动
• 较宽的供电范围：输入侧 V_CCI 可接受 3V 至 18V 供电电压范围，输出侧驱动电源 V_DD_ 可达 25V，提供 8V 和 12V 高精度 UVLO 选项
• 确保匹配的传输延迟：56ns(典型值)传输延迟，5ns (最大值)芯片间传输延迟偏差，7ns (最大值)脉宽失真，20ns (典型值)最小输入脉宽
• 可编程死区时间
• -40°C 至 +125°C 工作温度范围
• 高度可靠的电气隔离：较长的绝缘栅寿命：> 40 年，5.7kV_RMS (宽体封装)隔离耐压，较高的共模瞬态抗扰度(CMTI)：> ±100V/ns，可承受 12.8kV 浪涌
• 提供不同封装：宽体 SOIC16 (W)封装，宽体 SOIC14 (K)封装
• 安全认证：符合 DIN V VDE V0884-17: 2021-10 标准的 8000V_PK 增强隔离耐压，符合 UL1577 认证，5.7kV_RMS 隔离耐压 @1 分钟，AEC-Q100 认证

• 隔离型 DC-DC、AC-DC 转换器
• 电机控制
• LED 照明
• 不间断电源(UPS)
• 逆变器
• HEV/EV 电池充电器