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CA-IS3222CW-Q1实物图
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CA-IS3222CW-Q1

6A 灌电流/5A 拉电流、5.7kVRMS隔离双通道栅极驱动器

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描述
CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器,可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换,结合器件的超低传输延时(56ns,典型值)、超低脉宽失真等优势,使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择,工作频率可达 5MHz,适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术,在内部集成数字隔离器。
商品型号
CA-IS3222CW-Q1
商品编号
C20598914
商品封装
SOIC-16-WB​
包装方式
编带
商品毛重
0.608114克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥;低边;高边
隔离电压(Vrms)5700
负载类型IGBT;MOSFET
通道数2
输入侧工作电压3V~18V
拉电流(IOH)5A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
属性参数值
上升时间(tr)16ns
下降时间(tf)12ns
传播延迟 tpLH100ns
传播延迟 tpHL100ns
输入高电平(VIH)1.6V~2V
输入低电平(VIL)0.8V~1.2V
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)100kV/us
驱动侧工作电压14V~25V

商品概述

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器,可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换,结合器件的超低传输延时(56ns,典型值)、超低脉宽失真等优势,使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择,工作频率可达 5MHz,适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用川土特有的电容隔离技术,在内部集成数字隔离器。输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅 (SiO₂) 电容绝缘栅隔离,提供高达 5.7kV_RMS (宽体 SOIC 封装) 的隔离耐压(UL1577 认证),以及最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。此外,内部电路在二次侧(输出侧)的驱动器 A 与驱动器 B 之间提供功能隔离,可承受 1500V DC 工作电压。 CA-IS322x 系列栅极驱动器可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动,提供可编程死区时间。使能控制(CA-IS3222 的 EN 引脚)和禁止控制(CA-IS3221 的 DIS 引脚)允许将驱动器 A 和驱动器 B 的输出快速拉至低电平,关断外部功率晶体管。另外,当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或低于 UVLO 门限时,或当器件处于禁用状态时,驱动器输出置于默认状态:低电平;当输入信号开路时,驱动器输出同样置于默认状态:低电平,关断外部功率管。 CA-IS322x 输入侧电源 V_CCI 可接受 3V to 18V 供电范围,输出侧电源 V_DD_ 可接受高达 25V 的供电电压。提供 16 引脚或 14 引脚宽体 SOIC 封装。工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。

商品特性

  • 灵活支持多种配置:双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动支持 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动
  • 较宽的供电范围:输入侧 V_CCI 可接受 3V 至 18V 供电电压范围,输出侧驱动电源 V_DD_ 可达 25V,提供 8V 和 12V 高精度 UVLO 选项
  • 确保匹配的传输延迟:56ns(典型值)传输延迟,5ns (最大值)芯片间传输延迟偏差,7ns (最大值)脉宽失真,20ns (典型值)最小输入脉宽
  • 可编程死区时间
  • -40°C 至 +125°C 工作温度范围
  • 高度可靠的电气隔离:较长的绝缘栅寿命:> 40 年,5.7kV_RMS (宽体封装)隔离耐压,较高的共模瞬态抗扰度(CMTI):> ±100V/ns,可承受 12.8kV 浪涌
  • 提供不同封装:宽体 SOIC16 (W)封装,宽体 SOIC14 (K)封装
  • 安全认证:符合 DIN V VDE V0884-17: 2021-10 标准的 8000V_PK 增强隔离耐压,符合 UL1577 认证,5.7kV_RMS 隔离耐压 @1 分钟,AEC-Q100 认证

应用领域

  • 隔离型 DC-DC、AC-DC 转换器
  • 电机控制
  • LED 照明
  • 不间断电源(UPS)
  • 逆变器
  • HEV/EV 电池充电器

数据手册PDF

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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