IS42S32400E-7TLI-TR

ISSI的128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该128Mb SDRAM被组织为1兆x 32位x 4个存储体。它是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ的存储系统，包含134,217,728位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个33,554,432位的存储体被组织为4,096行x 256列x 32位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正边沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能后，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电，将隐藏预充电周期并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程的序列连续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A11选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

• 时钟频率：166、143、133 MHz
• 完全同步；所有信号参考正时钟边沿
• 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
• 单电源：3.3V ± 0.3V，LVTTL接口
• 可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
• 可编程突发序列：顺序/交错
• 自动刷新（CBR）
• 自刷新
• 每16ms（A2级）或64ms（商用、工业、A1级）进行4096次刷新周期
• 每个时钟周期随机列地址
• 可编程CAS延迟（2、3个时钟）
• 突发读/写和突发读/单写操作能力
• 通过突发停止和预充电命令终止突发