IS42S32200C1-7T-TR

ISSI的64Mb同步DRAM IS42S32200C1被组织为524,288位x 32位x 4组，以提高性能。同步DRAM采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。64Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个16,777,216位的组被组织为2,048行x 256列x 32位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能的掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部组之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个组之一时对一个组进行预充电将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是以突发方式进行的，从选定位置开始，并按编程序列持续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的组和行（BA0、BA1选择组；A0 - A10选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

• 时钟频率：183、166、143 MHz
• 完全同步；所有信号参考正时钟沿
• 内部组用于隐藏行访问/预充电
• 单3.3V电源
• LVTTL接口
• 可编程突发长度：(1、2、4、8、整页)
• 可编程突发序列：顺序/交错
• 自刷新模式
• 每64 ms进行4096次刷新周期
• 每个时钟周期随机列地址
• 可编程CAS（上划线）延迟（2、3个时钟）
• 突发读/写和突发读/单写操作能力
• 通过突发停止和预充电命令终止突发
• 提供工业温度等级
• 提供400密耳86引脚TSOP II和90球BGA封装
• 提供无铅版本