IS42S32160B-7TLI

ISSI的512Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该512Mb SDRAM被组织为4Meg x 32位x 4个存储体。它是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ的存储系统，包含536,870,912位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个134,217,728位的存储体被组织为8,192行x 512列x 32位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正边沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时，在突发序列结束时会启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列在编程的位置数量上继续。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A12选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并有突发终止选项。

• 时钟频率：166、143 MHz
• 完全同步；所有信号参考正时钟边沿
• 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
• 单电源：3.3V ± 0.3V，LVTTL接口
• 可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
• 可编程突发序列：顺序/交错
• 自动刷新（CBR）
• 自刷新
• 每16ms（A2级）或64ms（商业级、工业级、A1级）进行8192次刷新周期
• 每个时钟周期随机列地址
• 可编程CAS延迟（2、3个时钟）
• 突发读/写和突发读/单写操作能力
• 通过突发停止和预充电命令终止突发