IS43LR32800F-6BLI-TR

移动型 DDR SDRAM

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43LR32800F-6BLI-TR
商品编号: C20584275
商品封装: 90-TFBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	70mA
	刷新电流	300uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

IS43/46LR32800F是一款268,435,456位的CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有2,097,152字×32位。该产品采用双数据速率架构以实现高速运行。数据输入/输出信号通过32位总线传输。双数据速率架构本质上是一种2N预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线设计，并进行2n位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

商品特性

JEDEC标准1.8V电源供电。
VDD = 1.8V，VDDQ = 1.8V
四个内部存储体可并发操作
带有地址键编程的MRS周期
CAS延迟2、3（时钟）
突发长度（2、4、8、16）
突发类型（顺序和交错）
全差分时钟输入（CK、/CK）
除数据和DM外的所有输入在系统时钟上升沿采样
数据选通信号的两个边沿进行数据I/O事务处理
每个数据字节有双向数据选通信号（DQS）
DM仅用于写屏蔽
边沿对齐的数据和数据选通输出
中心对齐的数据和数据选通输入
64ms刷新周期（4K周期）
自动和自刷新
并发自动预充电
最高时钟频率可达200MHz
最高数据速率可达400Mbps/引脚
支持节能
PASR（部分阵列自刷新）
自动TCSR（温度补偿自刷新）
深度掉电模式
可编程驱动强度控制，全强度或全强度的3/4、1/2、1/4、1/8
状态寄存器读取（SRR）
LVCMOS兼容输入/输出
封装形式：
90球FBGA
152球PoP BGA

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	166MHz
	存储容量	256Mbit
	工作电压	1.8V