IS43LR32100C-6BLI

512K x 32 位 x 2 存储体移动版 DDR SDRAM

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43LR32100C-6BLI
商品编号: C20587663
商品封装: 90-TFBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	55mA
	刷新电流	200uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

IS43/46LR32100C是一款33,554,432位的CMOS移动双倍数据速率同步DRAM，其结构为2个存储体，每个存储体有524,288个字，每个字32位。该产品采用双倍数据速率架构以实现高速操作。双倍数据速率架构本质上是一种2N预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径采用内部流水线和2n位预取以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

商品特性

JEDEC标准1.8V电源
两个内部存储体，可并发操作
带地址键编程的MRS周期
CAS延迟2、3（时钟）
突发长度（2、4、8、16）
突发类型（顺序和交错）
全差分时钟输入（CK、/CK）
除数据和DM外，所有输入在系统时钟上升沿采样
数据选通信号的两个边沿进行数据I/O事务处理
每个数据字节的双向数据选通信号（DQS）
DM仅用于写屏蔽
数据和数据选通输出边沿对齐
数据和数据选通输入中心对齐
64ms刷新周期（4K周期）
自动和自刷新
并发自动预充电
最大时钟频率高达166MHz
最大数据速率高达333Mbps/引脚
支持节能
部分阵列自刷新（PASR）
自动温度补偿自刷新（Auto TCSR）
深度掉电模式
可编程驱动强度控制，可设置为全强度或全强度的1/2、1/4、1/8
与LVCMOS兼容的输入/输出

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	166MHz
	存储容量	32Mbit
	工作电压	1.8V