IS43LR32400F-6BLI

1Mx32BitsX4Banks 移动型 DDR SDRAM

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43LR32400F-6BLI
商品编号: C20584757
商品封装: 90-TFBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	50mA
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

IS43/46LR32400F是一款134,217,728位的CMOS移动双倍数据速率同步动态随机存取存储器（SDRAM），其内部组织为4个存储体，每个存储体包含1,048,576个32位字。该产品采用双倍数据速率架构以实现高速操作。数据输入/输出信号通过32位总线传输。双倍数据速率架构本质上是一种2/N预取架构，其接口设计为在每个时钟周期内在I/O引脚传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线设计，并进行2n位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

商品特性

JEDEC标准1.8V电源供电。
VDD = 1.8V，VDDQ = 1.8V
四个内部存储体可并发操作
带有地址键编程的MRS周期
CAS延迟为2、3（时钟）
突发长度为2、4、8、16
突发类型为顺序和交错
全差分时钟输入（CK，/CK）
除数据和DM外，所有输入在系统时钟的上升沿采样
数据选通信号的两个边沿都进行数据I/O事务处理
每个数据字节都有双向数据选通信号（DQS）
DM仅用于写屏蔽
边缘对齐的数据和数据选通输出
中心对齐的数据和数据选通输入
64ms刷新周期（4K周期）
自动和自刷新
并发自动预充电
最高时钟频率可达166MHz
最高数据速率可达333Mbps/引脚
支持节能
部分阵列自刷新（PASR）
自动温度补偿自刷新（Auto TCSR）
深度掉电模式
可编程驱动强度控制，可设置为全强度或全强度的1/2、1/4、1/8
LVCMOS兼容的输入/输出
90球FBGA封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	166MHz
	存储容量	128Mbit
	工作电压	1.8V