立创商城logo
购物车0
CGH09120F引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CGH09120F

高效率高增益宽带宽氮化镓高电子迁移率晶体管,适用于MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用

品牌名称
WOLFSPEED
商品型号
CGH09120F
商品编号
C20568755
商品封装
SMD​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
耗散功率(Pd)56W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
输入电容(Ciss)35.3pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)9.1pF

商品概述

CGH09120F是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计,这使得CGH09120F非常适合用于MC - GSM、WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

商品特性

  • UHF - 2.5 GHz工作频率
  • 21 dB增益
  • 20 W平均功率下,邻道泄漏比(ACLR)为38 dBc
  • 20 W平均功率下,效率为35%
  • 可进行高度数字预失真(DPD)校正
  • 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
  • 符合RoHS标准

应用领域

-MC-GSM-WCDMA-LTE放大器

数据手册PDF