商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
- 沟槽功率AlphaMOS-II技术
- 低 RDS(on)
- 低Ciss和Crss
- 高电流能力
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- UHF - 2.5 GHz工作频率
- 21 dB增益
- 20 W平均功率下,邻道泄漏比(ACLR)为38 dBc
- 20 W平均功率下,效率为35%
- 可进行高度数字预失真(DPD)校正
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准
应用领域
-MC-GSM-WCDMA-LTE放大器