商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@41.8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 57.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.23pF | |
| 输出电容(Coss) | 13.7pF |
商品概述
CGHV40180F是一款非匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该晶体管工作于50伏电源轨，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具备高效率、高增益和宽带宽能力，使CGHV40180F非常适合用于线性和压缩放大器电路。该晶体管采用2引脚法兰封装。
商品特性
- 最高2.0 GHz工作频率
- 900 MHz下24 dB小信号增益
- 900 MHz下20 dB功率增益
- 900 MHz下典型输出功率250 W
- 饱和功率下效率达75%
应用领域
-公共安全甚高频-超高频应用-医疗领域-宽带放大器