PTVA123501FC-V1-R250

PTVA123501EC和PTVA123501FC LDMOS场效应晶体管专为1200 MHz至1400 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益以及采用带槽无耳法兰的热增强型封装。这些器件采用先进的LDMOS工艺制造,具备出色的热性能和卓越的可靠性。

• 宽带内部输入和输出匹配
• 高增益和高效率
• 集成ESD保护
• 人体模型2级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
• 低热阻
• 出色的耐用性
• 无铅且符合RoHS标准
• 在脉冲条件下(脉冲宽度300 μs、占空比12%、VDD = 50 V),能够承受55.5 dBm功率下10:1的负载失配(所有相位角)

• PWM
• 负载开关
• 通用应用