C6D50065D1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 349W | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
凭借碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准,同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC二极管可以轻松并联,以满足各种应用需求,无需担心热失控问题。结合SiC产品对散热要求的降低和热性能的改善,SiC二极管能够在各种不同的应用中降低系统的总体成本。
商品特性
- 正向电压(Vx)降较低,且具有正温度系数
- 零反向恢复电流/正向恢复电压
- 开关特性与温度无关
- 漏电流(Ix)较低
应用领域
-工业电源-电池充电系统-开关电源-太阳能逆变器-服务器/电信电源