商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.9pF |
商品概述
CGH40045是一款非匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40045采用28伏电源轨供电，为各种射频和微波应用提供了通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带宽能力，使CGH40045非常适合用于线性和压缩放大器电路。该晶体管有法兰和药丸封装两种形式。
商品特性
- 最高4 GHz工作频率
- 在2.0 GHz时小信号增益为16 dB
- 在4.0 GHz时小信号增益为12 dB
- 典型饱和功率（P SAT）为55 W
- 饱和功率下效率为55%
- 28 V工作电压
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- 适用于正交频分复用（OFDM）、宽带码分多址（W-CDMA）、增强型数据速率GSM演进技术（EDGE）、码分多址（CDMA）波形的A类、AB类线性放大器