- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.9pF |
商品概述
CGH40045是一款无匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件工作于28V电源轨,为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具备高效率、高增益和宽带宽能力,使CGH40045非常适合线性和压缩放大器电路。该晶体管提供法兰和药丸封装。
商品特性
- 最高4 GHz工作频率
- 在2.0 GHz时小信号增益为16 dB
- 在4.0 GHz时小信号增益为12 dB
- 典型饱和输出功率(P\textSAT)为55 W
- 在饱和输出功率(P\textSAT)下效率为55%
- 28 V工作电压
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- 适用于正交频分复用(OFDM)、宽带码分多址(W-CDMA)、增强型数据速率GSM演进技术(EDGE)、码分多址(CDMA)波形的A类、AB类线性放大器
- FCQ38999/20ZG41PBMIL-STD-461
- GTC08-16S-4SY-B30-LC
- ADP08S04
- FCQ38999/20KB2ABMIL-STD-461
- MT45W1MW16PABA-70 WT
- FCQ38999/20JB5SAMIL-STD-461
- FCQ38999/27NF11PAMIL-STD-461
- 11861801
- FCQ38999/26SE4PEMIL-STD-461
- GRM1885C1H180FA01J
- 7-2176230-5
- GTC06A20-66P-023-LC
- MT45W4MW16PFA-70 IT TR
- 2343045-1
- 354150-E
- AS4C32M32MD2A-25BCNTR
- GTC02R20-3SZ-LC
- ACC00AF22-7S-003-B30-LC
- MT42L128M32D1TK-25 AIT:A
- FCQ38999/20MD5SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26KD35SCMIL-STD-461