商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
商品概述
PTVA047002EV LDMOS场效应晶体管专为470 MHz至806 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用先进的LDMOS工艺制造,具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 输入匹配
- 集成ESD保护
- 低热阻
- 高增益
- 热增强型封装
- 符合RoHS标准
- 在DVB - T信号条件下,平均功率为130 W时能承受10:1的电压驻波比
- 人体模型2级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
应用领域
- 工业电源-电池充电系统-开关电源-太阳能逆变器-服务器/电信电源