商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
商品概述
凭借碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC二极管可以轻松并联，以满足各种应用需求，无需担心热失控问题。结合SiC产品对散热要求的降低和热性能的改善，SiC二极管能够在各种不同的应用中降低系统的总体成本。
商品特性
- 输入匹配
- 集成ESD保护
- 低热阻
- 高增益
- 热增强型封装
- 符合RoHS标准
- 在DVB - T信号条件下,平均功率为130 W时能承受10:1的电压驻波比
- 人体模型2级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
应用领域
- 工业电源-电池充电系统-开关电源-太阳能逆变器-服务器/电信电源