Name: micron(镁光) MT53D512M32D2DS-053 AAT:D
Brand: micron(镁光)
SKU: C20556116
Price: 69.1 CNY
Availability: OutOfStock

本数据手册适用于基于LPDDR4X信息的LPDDR4和LPDDR4X统一产品。请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V $_{\text{DDQ}}$。
超低电压核心和I/O电源
V$_{\mathrm{DD1}}$ = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
V$_{\mathrm{DD2}}$ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
V${DDQ}$ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V，或低V${DDQ}$ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V
频率范围：2133 - 10MHz（数据速率范围：4266 - 20Mbps/引脚）
16n预取DDR架构
每个通道有8个内部存储体用于并发操作
单数据速率CMD/ADR输入
每个字节通道有双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
可编程且实时可变的突发长度（BL = 16, 32）
针对每个存储体的定向刷新，便于并发存储体操作和命令调度
每个芯片最高可达8.5GB/s
片上温度传感器用于控制自刷新速率
部分阵列自刷新（PASR）
可选的输出驱动强度（DS）
时钟停止功能
符合RoHS标准的“绿色”封装
可编程的V$_{\mathrm{SS}}$（ODT）终端
V${\mathrm{DD1}}$ / V${\mathrm{DD2}}$ / V$_{\mathrm{DDQ}}$：1.80V / 1.10V / 1.10V或0.60V
阵列配置：512M×16（1通道×16 I/O）512M16；512M×32（2通道×16 I/O）512M32；1024M×32（2通道×16 I/O）1024M32
器件配置：封装D1中有1个512M16芯片；封装D2中有2个512M16芯片；封装D4中有4个512M16芯片
FBGA“绿色”封装：200球WFBGA（10mm×14.5mm×DS 0.8mm，Ø0.35 SMD）；200球VFBGA（10mm×14.5mm×DT 0.95mm，Ø0.35 SMD）
速度等级，周期时间：535ps @ RL = 32/36 -053；468ps @ RL = 36/40 -046
工作温度范围：-25℃至+85℃

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	LPDDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.866GHz
	存储容量	16Gbit
	工作电压	1.1V

	属性	参数值
	工作电流	28mA
	刷新电流	2mA
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

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